第585章 国产光刻机崛起的希望！高通？小丑

  第585章 国产光刻机崛起的希望！高通？小丑罢了！

  euv光源，即13.5纳米波长的极深紫外光，是实现“超精密电路雕刻”的核心，直接决定了芯片的最小线宽、集成度与性能上限。

  只需一次曝光，就能把掩膜版上的电路图，复制到晶圆表层。

  而传统的duv光刻机，需通过“多重曝光”，才能形成芯片所需的精细线路。

  具体来说，就是要对同一区域的光刻胶进行2到4次光刻与显影操作，最终效果才相当于 euv光刻机一次曝光所能达到的水平。

  梁劲松从格罗方德、联华电子手里购买的nxt 1950i duv光刻机，虽然也能生产14纳米、乃至10纳米的芯片，但必须利用多重曝光工艺。

  然而，多次曝光会导致光刻步骤增加，生产周期变长、良品率骤减、成本迅速上升，至少要高个30%到50%。

  这也是为何阿斯麦只要不向华国的fab工厂出售euv光刻机，便能牢牢卡住整个半导体行业脖子的主要原因。

  即便掌握了其他关键技术，也会因制造成本居高不下，从而失去商业价值与市场竞争力。

  就拿同一款芯片产品来说，高通以20美币的价格出售仍有毛利可赚，但国内芯片制造商若同样以20美币的价格售卖，反而要亏损三成。

  面对这样的成本与盈利差距，采购方自然不愿买单。

  陈延森提出的磁约束放电激发方式，则放弃了激光轰击液态金属锡、激发极深紫外光的方案，转而采用在强磁场约束下，通过高功率脉冲放电，在金属锡靶表面产生稳定、高亮度等离子体的技术路径。

  优点显而易见，固态靶材加高压放电，机械结构更简单，稳定性更高。

  这是一项差异化极大的技术，可以绕过大量现有的lpp专利壁垒墙。

  “辛苦了，继续在磁约束放电激发技术的基础上，深耕延伸专利，以防欧美的半导体公司使用微创新的手段，反过来限制我们。”