第133章 国家MEMS重大专项
  圆桌討论的第一个议题就是mems製造的核心工艺。
  赵建成通过视频连线从崑山参加了討论——苏辰特意安排了这一点，因为在座的学术大佬们虽然理论功底深厚，但对一线的mems製造现状了解有限。
  赵建成的匯报简洁而专业：
  “目前鸿远微系统的產线现状——suss步进光刻机一台，牛津仪器刻蚀机一台，莱宝薄膜沉积设备一套。4英寸全套mems流程。“
  “產线升级计划——新增一台suss ma200步进光刻机，將光刻精度从2微米提升到0.5微米。新增一台drie深硅刻蚀设备，实现高深宽比硅通孔刻蚀。薄膜沉积设备升级到能做aln压电薄膜。“
  “预计三到四个月完成升级。“
  听完赵建成的匯报，清华的孙教授第一个开口了：
  “赵工，你说的drie设备——牛津仪器的最新款有出口管制，你们买到的是哪个型號？“
  “上一代的plasmapro 100 estrelas。“赵建成说，“最新款確实受限，但上一代没有管制问题。性能上差一些，但经过参数优化后能满足我们的需求。“
  “差多少？“孙教授追问。
  “深宽比方面，最新款能做到30:1，上一代大概在20:1左右。但我们第一步目標对標bmi270，20:1已经足够。“
  “但第二步呢？“孙教授的眼神变得锐利起来，“你们要做超越村田scr1100的高精度陀螺仪——那种结构对drie的深宽比要求至少要25:1以上。上一代设备做不到。“
  赵建成沉默了一秒。
  这时候苏辰开口了：
  “孙教授说得对。这正是我想在今天的討论中提出的核心问题。“