第361章 天权產品质量回溯专项

  章宸站在白板前，手里拿著红色记號笔，在画一张天权4號晶片的功能模块图。他的旁边坐著林薇、赵静、孙总监，以及从合城赶来的老韩和製造部的三位工艺工程师。

  会议的主题是“天权產品质量回溯”。这个专项是在天权4號小批量试產完成后启动的。首批五百颗工程样片的测试数据出来了——良率94.2%，这个数字本身不差，甚至可以说是相当好。但章宸在数据分析中发现了一个值得警惕的规律:良率的波动不是隨机的，而是与晶圆上的位置强相关。

  边缘区域的晶片，性能参数比中心区域的晶片平均差了百分之三到百分之五。这个差异在规格书允许的范围內，不影响晶片的正常使用。但章宸担心的是——如果这个差异是某种系统性问题的徵兆，那么在规模化量產后，问题可能会被放大。

  “各位，天权4號小批量试產的五百颗晶片，我们在十八个测试舱里做了全参数测试。测试结果匯总在这里。”章宸调出了一张热力图，上面是一块十二英寸晶圆的平面图，不同顏色代表不同位置的晶片性能表现。

  “中心区域，绿色，性能达標率百分之九十八。边缘区域，黄色到橙色，性能达標率百分之九十一到百分之九十五。边缘区域的晶片，主要问题是——漏电流偏高、最大主频偏低、以及sram的位错误率略高。”

  “这三个问题，指向同一个根因——工艺偏差。晶圆边缘的薄膜沉积均匀性比中心区域差，导致电晶体的閾值电压漂移。閾值电压漂移，导致漏电流增加、主频下降、存储单元稳定性变差。”

  林薇皱起了眉头。“这个根因我们不是早就知道了吗？追光三期量產的时候，膜厚均匀性的问题就暴露过。张京京的团队做了工艺优化，把均匀性从百分之三提升到了百分之一点五。按理说，一点五的均匀性，不应该导致这么明显的性能差异。”

  章宸说:“一点五的均匀性，对於普通晶片来说足够了。但天权4號用的是存算一体架构，计算单元和存储单元紧耦合，对工艺偏差的敏感度比传统晶片高一倍。边缘区域百分之一点五的膜厚偏差，映射到电晶体性能上，就是百分之五的差异。”

  “问题的关键是——我们在设计天权4號的时候，用的工艺偏差模型是基於传统晶片的经验数据。我们低估了存算一体架构对工艺偏差的敏感度。这不是製造的问题，是设计的问题。”

  会议室里安静了几秒。

  孙总监率先开口。“章总，你的意思是——天权4號的性能差异，不是追光產线的问题，是我们设计时没有充分考虑工艺偏差？”

  章宸点头。“对。追光產线的均匀性一点五，已经是国內最高水平了，甚至比旧秩序的一些產线还好。但存算一体架构对均匀性的要求，不是一点五，而是一点零。我们的设计，超出了產线的能力边界。或者说，產线的能力边界，比我们预想的窄。”

  林薇在白板上写下了几个关键词:“设计-工艺协同优化”。

  “章宸的发现很重要。天权4號的问题，不是追光產线不行，而是我们的设计流程里缺了一个环节——设计-工艺协同优化。设计团队用理想的工艺模型做仿真，製造团队用现实的產线能力做生產，两个模型之间的偏差，就是晶片性能差异的来源。”

  “天权5號，不能再犯同样的错误。从今天开始，设计团队和製造团队要共用同一个工艺模型。这个模型，必须基於追光產线的实际测试数据，不是理想值，是统计分布。设计团队在做仿真的时候，要用这个模型跑蒙特卡洛分析，看看设计在工艺偏差下的鲁棒性。”